基极电压升高引起集电极负载电阻Rc两端电压升高，而管压降Uce则下降。管压降一般指集电极与发射极之间的电压，即：
Uce=Uc-Ue，其中Uc、Ue分别表示集电极和发射极对“地”（即参考点）电压。
正常工作时，基极电压Ub比发射极电压Ue高一个发射结压降Ube，所以：
Ub=Ue+Ube，其中Ube是三极管的属性，硅管约0.7V、锗管约0.2V。
扩展资料：
基极：基极是半导体三极管的电极。一只半导体三极管有三个电极：分别是发射极、基极和集电极。半导体管在工作时要加工作电压，于是就产生了各极电流。
半导体三极管在工作时发射极电流等于基极和集电极电流之和。其中基极电流最小，发射极电流最大。在基极加一很小的电流，在集电极就能输出很大的电流，因此三极管有放大作用。
分母中的(1+β)Re的物理概念可以用电阻的归算来理解。所以将Re乘以(1+β)，是因为对于图3-2-2(c)，写列基极电流方程时，在基极电流流过的电路网眼中电流不等，在基极是IB，在发射极是IE，为了保证基极电流流过Re。
产生的电压降与IE流过时一样，所以要将Re乘以(1+β)。这是放大电路中经常使用的电阻归算的概念，将发射极回路的电阻归算到基极回路，要乘以(1+β)；将电阻从基极回路归算到发射极回路要除以(1+β)。
百度百科-基极电流
锗二极管是用半导体锗制作的，如典型的国产管2AP9 锗管的优点在于锗PN结的导通电压低，一般在0.1-0.3V左右，但锗管的缺点也是很大的，如反向漏电流大，允许结温低。目前，锗管基本已没有使用。也不建议使用。硅管可以在预加偏压的基础上实现低导...（火星人）4226
