电路全响应问题

核心提示iL(0)=15/3=5A,方向自上而下。iL(∞)=0掷向2后并在电感两端的电阻为R,R=3//R`R`为两电阻串联受控电压源的等效电阻,该电阻可用加激励I`求响应电压U`来求:U`=(2+6)I`-6x2I`=-4I`,R`=U`/I`

iL(0)=15/3=5A,方向自上而下。

iL(∞)=0

掷向2后并在电感两端的电阻为R,R=3//R`

R`为两电阻串联受控电压源的等效电阻,该电阻可用加激励I`求响应电压U`来求:

U`=(2+6)I`-6x2I`=-4I`,

R`=U`/I`=-4Ω

R=3//(-4)=-12/(3-4)=12Ω

τ=L/R=3/12=025 S

根据三要素法:iL(t)=5e^-4t A

uL(t)=Ldi/dt=3x5x(-4)e^-4t=-60e^-4t V

电路全响应?

基于时间常数法、电磁仿真方法。

基于时间常数法根据电路中的时间常数,求出电容器充电时间和输出电压的瞬时值,从而求取直流稳态电路的响应。电磁仿真方法使用仿真软件来模拟直流稳压电路的响应。所以直流稳态电路的响应可以使用基于时间常数法、电磁仿真方法求解。

直流稳态电路的响应特性是多端子输出,并将其汇编成各类型的灯亮,电压电流值从零至额定值连续可调,恒压恒流自动转换。

放大电路的频率响应是什么意思?

先说第二个问题。i是受控源的控制量,在电路变换中,控制量的参考方向是不能变的,否则必错。第二张图用外加电压法求等效电阻,外加电压U的极性是任意假设的,激励的电流I的方向由U决定(从U的+极发出)。但控制量i必须保持原方向。如果把第二图中U的极性改成附图(见图)那样,可能容易懂些。

再说问题一:第一张图中电源是16v电压源,电压源、2Ω电阻、1Ω电阻成一个回路,1Ω的电流与电压源极性一致,所以朝下。而第二张图,电压源被短路后,1Ω与2Ω成并联关系,它们的电流方向应该是一致的,所以都朝上。

在实际的放大电路中总是存在一些电抗性元件,如电感、电子器件的极间电容以及接线电容与接线电感等。因此,放大电路的输出和输人之间的关系必然和信号频率有关。放大电路的频率响应所指的是,在输入正弦信号情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。当保持电路输入信号的幅度不变,改变频率使输出信号降至最大值的0707倍,或某一特殊额定值时该频率称为截止频率。用它来说明电路频率特性指标在放大器电路中,在高频端和低频端各有一个截止频率,分别称为上截止频率和下截止频率。两个截止频率之间的频率范围称为通频带。

截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0707倍的频率,就是共发射极的截止频率fβ;当α下降到低频时的0707倍的频率,就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数,它们之间的关系为: fβ≈(1-α)fα。

晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时,其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指电流增益β值降为1时晶体管的工作频率。它是表征晶体管在高频时放大能力的一个基本参量由于特征频率与电流有关,故必须考虑它随电流分布关系。

通常将特征频率fT小于或等于3MHz的晶体管称为低频管,将fT大于或等于30MHz的晶体管称为高频管,将fT大于3MHz、小于30MHz的晶体管称为中频管。

以单管共射电路为例,影响放大电路频率响应的因素有很多,具体见如下表:

晶体管的特征频率和半导体材料,制造工艺以及晶体管的类型(NPN或PNP,NMOSFET, PMOSFET或JFET)等因素有关例如,IBM公司采用SiGe材料和130nm工艺,可制造出特征频率为200GHz的微波晶体管 设计师利用这一性能可以实现盲区检测用的24GHz雷达、汽车碰撞告警或先进巡航控制用的77GHz雷达系统。

 
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