1. Q5为NMOS管，R12为限流电阻（或是偏置电阻），源漏之间的二极管为保护二极管。
2. 源极接地，电压为0，当栅极（即图中右眼驱动1）的电压大于开启电压Vth（一般为0.7V）时，就可在源漏之间形成导电沟道，产生电流。
3. 栅极未加电压（或电压小于Vth）时，管子关闭，电阻很大，12V电压基本全部加在管子上，R12上电压很小，电路电流为几乎为0；栅极电压大于开启电压时，管子导通，电阻迅速变小，R12分得部分电压，电路中产生电流。此电流大小既满足欧姆定律（电阻电流电压方程），也满足萨支唐方程（管子电流电压方程），即上下电流相同，满足电流一致性。
4. 二极管起保护作用。当漏源电压较大时，在管子发生源漏穿通之前，二极管先发生反向击穿，从而保护了管子。
5. 如果二极管为稳压管的话，就是用来恒定漏源电压的，从而通过选择稳压管可以设置电流的大小。此时流过R12的电流等于流过二极管的电流与流过管子的电流之和，满足基尔霍夫电流定律，即流入节点的电流等于流出节点的电流。
MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。
PWM MOS管驱动实际是将PWM信号经过MOS进行功率放大，将PWM信号变成具备一定功率输出或有一定电流灌入能力的PWM波形。其常见的电路有PWM MOS管底边驱动，半桥输出、H桥输出和三相全桥输出。
常见pwm驱动mos管开关电路：只是单个MOS管的普通驱动方式像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可。由于MOS管内部有寄生电容有时候为了加速电容放电，会在限流电阻反向并联一个二极管。
pwm驱动mos管这个电路提供了如下的特性：
1、用低端电压和PWM驱动高端MOS管。
2、用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。
3、gate电压的峰值限制。
4、输入和输出的电流限制。
5、通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。
6、PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。
