大部分MOS管指定了最大栅源极间电压(±20V)。
MOS管栅极最高电压：大部分MOS管指定了最大栅源极间电压(±20V)。如果超过这个限制,器件就容易被损坏。当MOS管工作时使用栅极输入电阻,并在一个具有较大供电电压的电路中快速关断,器件内部的米勒电容就会耦合一个电压尖峰到栅极,引起栅极电压超限的问题。MOS管栅极最高电压：以一个工作于直流线电压为160V(最大可为186V )电路中的正激变换器为例进行分析。当MOS管在最大线电压下关断,它的漏极电压上升到2倍线电压即372V。这个正向电压前沿的一部分耦合回来,由Crss和Ciss分压。
MOS管导通漏极电流与什么有关
mos管vds电压计算方法：
根据P=I*I*R，得出I=10.3A。
所以MOS管的选型应Vds＞272V，ID＞10.3A。
你所问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是由原来的参考地改为以S作为参考。简单来说就是你站在2楼以地面作为参考高度是10米的话，改为以1楼楼顶作为参考后高度就为5米了。
Vds是场效应管漏极和源极间的电压，Vgs是栅极与源极间电压，指的是电压值不存在加减关系和电流方向。
场效应管Vgs和Vds电压问题说明：
MOS管的时候记得是G极电压，D极电压，S极电压这样叫。我知道电压是指电路之间的电位差，但弄不明白Vds是指D极电压减去S极电压的值，还是Vds只表明了电压或电流的方向。
电路有个参考点作为地，平时所说的电压都是相对于地做参考的，比如你所说的D极电压就是D极相对于地的电压。
漏极电流Id与漏源电压Vds和栅源电压Vgs皆有关系。
以N沟道增强型MOS管为例：
当Vgs一定时，Id随Vds的增大出现先增大再恒定最后激增的现象；
当Vgs>Vgsth增加时，Id也随之呈增大趋势。
以上是宏观特性，其微观特性依据沟道间导电层的厚度决定。
其它各型场效应管皆以N沟道增强型MOS管为模本，根据其自身特性进行具体分析。
