关于“中国芯”追求，中科院传来消息，外媒：中国科学家不睡觉吗
美国自从发动贸易战和科技战，不择手段打压围剿我国企业，发布限芯令，造成我国华为等半导体企业的巨大损失，可谓损失惨重。
但是迎难而上是中国人的民族精神，更是有一批具有爱国心的企业家表示，祖国需要什么我们就生产什么，于是在芯片领域遭遇困境之后，以华为企业为首，民族企业都加大科研投入，组建团队和实验室，力争要掌握核心的芯片制造技术，降低对芯片等高新产品的进口依赖。
中国芯的追求，已经成为中国企业的理想，形成了一股浪潮，为了打破西方的技术封锁，为国家经济做出贡献，早日实现芯片产业的稳定发展，我国出台了半导体行业企业十年免税等扶持政策，鼓励很多高科企业自主创新。
在国家的支持下，我国已经有九千多家企业投入了芯片领域的研发工作，形成了声势浩大的中国芯行动，中科院传来消息，关于中国芯的进展不断有好消息传来。
而外国媒体面对中国科研的实力感到不可思议，这些废寝忘食争分夺秒工作的中国科学家们，一直在拼命工作，难道不用睡觉吗？
我国目前已经拥有了“芯片大学”、“东方芯港”，中科院等国家科研机构在国家鼓励下，成立了半导体科研企业，在仅仅两年时间里，我国新增的半导体企业就超过几万家，很多企业都努力想要做出成绩。
那么制造芯片的机器光刻机和蚀刻机这两种重要的设备，我国目前能够解决其中的蚀刻机的自主生产，而且精度已经达到了较高的水平。
但是对于更重要的光刻机，我国目前还是需要从国外进口，尤其是荷兰的光刻机是目前世界上精度最高的设备，美国为了限制我国的芯片发展，不让荷兰出口光刻机给我们。
我国又很难在短时间内攻克光刻机的生产难题，在这样的困境之下，我国科学家选择了加快传统半导体设备和材料的研制，加快新型芯片的研发，目前我国中科院微电子研究所宣布了一个好消息，已经成功突破了一项关键技术，就是关于非晶铟镓锌氧化物晶体管。
这种过于专业的术语很难理解，但是它却和中国芯息息相关，这种使用了三维集成技术，能提升硅片上的晶体管集成的密度，使用非晶铟镓锌氧化物晶体管，是一种最佳的沟道材料。
芯片是非常微小的集成电路，上面却要刻录非常多的内容信息和功能，能够集成到上面的材料，是非常高科技的，通过迭代和升级，芯片的精度和制程已经飞跃向前，我国作为起步很晚的国家，和发达国家的生产水平差距非常大。
想要快速追赶，打破西方国家的封锁和垄断，就只有快速研发新型的芯片技术，争取在弯道超车。
现在中科院已经攻克的这种晶体管技术，已经在科技界引发了轰动和讨论，美国媒体都纷纷进行报道，惊叹中国科学家到底睡不睡觉，短短几年的时间就完成了西方国家要几十年才走过的历程，而且已经取得了先进的水平。
芯片是目前世界上最难加工的科技之一，更是一个国家综合科技实力的参考标准，芯片的制造和封测有非常多的工序，其中硅片的制造就需要超过一百道工序。
只有实现了芯片的设计，生产，封装和检测都能本国百分百完成，才能不再需要进口，外国也无法进行卡脖子和限制了。
我国目前能实现晶圆制造、封装测试还需要外包才能完成。而且严格来说我国的企业还限于芯片的设计，华为中兴和高通等，都在研发设计，而我国的台积电等半导体公司，才是真正的芯片制造企业。
我国目前还缺少能够自主完成芯片的设计，制造，封装和测试的公司，也亟须有这样的公司涌现。而芯片行业的科研投入又是非常惊人的。
从目前来看，我国的5G终端芯片还是取得了可喜的成就，华为海思和紫光展锐都能生产，而且全球能生产的企业五家之中，我国占据三家，另外一家是中国台湾的联发科公司，此外就是美国的高通和韩国的三星公司。
现在放眼世界范围内的芯片代工厂，中国台湾的台积电和联华电子是很厉害的，既有稳定的生产能力，也有不断提升的制程工艺。而我国大陆的中芯国际也属于后起之秀，开始逐渐崭露头角。
在这样的大背景下，我国的芯片将会迎来更好的发展前景，相信终将会追赶上西方国家，实现芯片的自给自足。
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