MOS<0，电场使Si内部的可移动空穴集中到Si-SiO界面，Si表面形成多数载流子的积累层，此为“积累状态”。
电荷储存机制：利用电子可以被高电势吸引的特性，做出高于周围电势的部分，信号电荷(电子)就可在此存储MOS=0，Si表面载流子浓度与体内相同，呈电中性，不存在空间电荷区，能带为平坦的，此为“平带状态”。
MOS<0，电场使Si内部的可移动空穴集中到Si-SiO界面，Si表面形成多数载流子的积累层，此为“积累状态”。
MOS<0，电场使Si内部的可移动空穴集中到Si-SiO界面，Si表面形成多数载流子的积累层，此为“积累状态”。
