晶体二极常见不良项主要有：
（1）包装变形、破损。
（2）标示不清或无标示，错漏。
（3）尺寸与规格不符。
（4）二极管本体破损。
（5）引脚松、断、氧化。
（6）极性标示不明确、极性反。
（7）击穿短路、内部开路。
（8）发光管不发光、暗。
（9）稳压管稳压值偏高、偏低。
晶体二极管（crystaldiode）固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有非线性的电流-电压特性。此后随着半导体材料和工艺技术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二极管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。
二极管的击穿有两种击穿：
1、齐纳击穿：稳压二极管就是利用这种特性工作的。加上反向电压，在用电阻限流的条件下，二极管两端的击穿电压基本不变。如下图中的CD段（反向击穿区）。这个击穿是可恢复击穿。
2、雪崩击穿：
如果正向工作区（AB段）负载电流过大、反向击穿区（CD）反向电压过高或限流电阻过小而反向过电流，都会导致二极管的不可恢复击穿。这是一种损毁性的击穿，通常是短路状态。
如果击穿导致短路时产生过大的热量，会导致进一步炸裂或者燃烧，这样就可能是断路状态。
为避免击穿现象发生，必须根据实际工作电流合理选型，尽量留够裕量。大功率二极管还要满足散热需求。
