ASEMI代理英飞凌IPB072N15N3G是MOS管吗?

核心提示IPB072N15N3G参数描述:型号:IPB072N15N3G持续漏极电流:100A脉冲漏极电流:400A雪崩能量,单脉冲:780 mJ栅极-源极电压:±20V功率耗散:300W操作和储存温度:-55 to 175℃漏源击穿电压:150V

IPB072N15N3G参数描述:

型号:IPB072N15N3G

持续漏极电流:100A

脉冲漏极电流:400A

雪崩能量,单脉冲:780 mJ

栅极-源极电压:±20V

功率耗散:300W

操作和储存温度:-55 to 175℃

漏源击穿电压:150V

栅极阈值电压:3V

零栅极电压漏极电流:0.1µA

栅极-源极泄漏电流:1nA

漏极源导通状态电阻:6.2mΩ

栅极电阻:2.3Ω

输入电容:5470pF

输出电容:638pF

开通延迟时间:25ns

关断延迟时间:46ns

栅极平台电压:5.5V

二极管连续正向电流:100A

二极管脉冲电流:400A

二极管正向电压:1V

反向恢复时间:146ns

IPB072N15N3G特征:

N通道,正常电平

优秀的栅极电荷x R DS(on)产品(FOM)

接通电阻非常低R DS(接通)

175°C工作温度

无铅电镀;符合RoHS

根据JEDEC对目标应用进行鉴定

适用于高频开关和同步整流

无卤素,符合IEC61249-2-21

英飞凌网站:www.infineon.com

www.infineon.com/cms/en/product/where-to-buy.html?country=cn 英飞凌代理的电话有误应该是

021-54263188可转分机3248

三菱 www.mitsubishichips.com/Global/products/powermod/index.html

富士: www.fujielectric.com/products/semiconductor/products/powerdevices/pim.html

西门康: www.semikron.com

三社: www.sanrex.com

 
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