印刷防伪技术是一种综合性的防伪技术，包括防伪设计制版、精密的印刷设备和与之配套的油墨、纸张等。单纯从印刷技术的角度来看，印刷防伪技术主要包括：雕刻制版、用计算机设计版纹、凹版印刷、彩虹印刷、花纹对接、双面对印技术、多色接线印刷、多色叠印、缩微印刷技术、折光潜影、隐形图像和图像混扰印刷,随着高科技的发展和人们对高质量包装印刷品的要求，包装印刷业近年来开始了大范围的技术革命，多种印刷设备的并用，多种印刷工艺的相互渗透，使印刷产品更加变幻莫测、丰富多彩。采用这些新技术印出的产品为试图做伪者设定了层层障碍和阻力。
基本介绍 中文名 ：防伪印刷技术 简介 ：综合性的防伪技术 包括 ：防伪设计制版、精密的印刷设备等 技术 ：雕刻制版、用计算机设计版纹等 常用工艺 ：平凸合印与多工序合印等 辅助设备 ：防伪添加剂 常用工艺,技术及方法,材料及辅助, 常用工艺 平凸合印与多工序合印 一般高档包装装璜印刷品多设计有大面积的色块、多色序的连续调画面及复杂的线条、花纹图案等，给单一印刷手段带来了一定的难度。如果采用平凸合印，即利用凸版印刷机压力大，着墨均匀的长处大面积的实地色块，用平版印刷机压力平柔的长处印四色连续调和复杂线条部份，这样扬长避短，其效果是十分明显的。对于一些要求更高更复杂的印品，还可以采用手、凸、凹和平、凸、凹漏等多工序合印。总之，印刷工序愈复杂、印刷难度愈大的包装装潢印品，防伪效果就愈好。 多色串印 多色串印也称串色印刷，一般多采用凸版印刷机印刷，它是根据印品要求，在墨槽里放置隔板后，再在不同隔版里分别放入多种色相的油墨。在串墨辊的串动作用下，使相邻部份的油墨混合后再传至印版上。采用这种印刷工艺，可以一次印上多种色彩，并且中间过渡柔和。由于从印品上很难看出墨槽隔板的放置距离，故也能起到一定的防伪作用。如果在大面积的底纹印刷上采用这种工艺，其防伪作用将更为突出。 凹印技术 是指印版上图文部位是凸起的，印出来的图文，其油墨也是凸起的，而图文线条清晰，层次分明，手触即能感觉。这种印刷技术既对纸张有保护作用，又具有防伪性能。重要的证券便用凹印技术。 凹版印刷的种类根据制版方法分为两类：雕刻凹版（有手工雕刻凹版、机械雕刻凹版），腐蚀凹版两大种类。 手工雕刻凹版印刷的防伪效果较好。与防伪油墨技术相结合。有些印刷防伪油墨的颜料颗粒较大，需要较厚的墨层，而凹版印刷的质感较强，两者的结合，会得到双重的防伪及装璜效果。如凹版印刷使用萤光油墨，既保证了凹版印刷的微凸感，又保证了萤光油墨的使用要求，两者的秘诀防伪功能也都得到了保证。 雷射全息虹膜印刷 雷射全息虹膜印刷是采用雷射全息摄影手段，在防震室中制出模版，然后通过一定压力将图纹转移到某种载体上。其产品在45度点光源照射下，可产生色彩斑斓的彩虹状的独特效果，且图像的立体感极强，深受消费者青睐，被一些有识之士称为21世纪无油墨的彩色印刷术。目前多采用冷压涂镀和做成汤印膜直接热烫两种工艺。由于这种技术的制版工艺比较复杂，难度很大，国内仅有少数几个厂家能够生产，所以防伪效果极佳。应特别指出的是，全息摄影是在防震室里利用雷射光源在极短的时间内将景物光波的振幅信息和相位信息同时摄取，利用光的干涉原理构成景物的每一个质点，形成全部信息。在制版过程中，室内细微的空气流动都能导致全息图像颜色的变化，所以，无论如何也不可能做两件一模一样的全息图版。 手工雕刻版压印 大多数包装装璜印刷品都要求将重点品名、图案凸起。这些图文凸起多采用化学腐蚀法制成凸版，上机后与石膏凹版合成压印来完成。虽然这种方法具有制作工艺简便、周期短等优点，但是压印后凸效果不佳，不具备防伪作用。所以目前有很多印刷厂采用雕刻版压印工艺。 手工雕刻版需选用质地较好的铜版材，靠雕刻师手工技艺将用户要求的图文（主要是图案）用雕刀分层次雕出，一般可雕出3～4个层次。特别要指出的是，化学蚀版法只能作出一个层次，而且边缘部份的死角也不可能像手工雕刻那样做成一定孤度来提高压凸效果和防止纸张崩裂。由于雕刻师的技艺不是短时间内能够掌握的，且不同的雕刻师有不同的雕刻风格，即使是同一雕刻师也不可能刻出两块一模一样的模版，所以，用这样的模版压印出的包装印品，不仅压凸效果好，层次丰富，压印率高，而且具有较强的防伪作用。 特种光泽印刷 特种光泽印刷是近年来包装印刷界较流行的新型印刷技术。特种光泽印刷工艺目前主要有金属光泽印刷、珠光印刷、珍珠光泽印刷、折光印刷、可变光泽印刷、雷射全息虹膜印刷、结晶体光泽印刷、仿金属蚀刻印刷和哑光印刷等。其中金属光泽印刷是采用铝箔类金属复合纸，著以较透明的油墨，在印品上形成特殊金属光泽效果。珠光印刷是在印品表面首先以银浆，再著以极透明的油墨，银光闪光体透过墨层折射出一种珠光效果。珍珠光泽印刷是采用掺入云母颗粒的油墨印刷，使印品产生一种类似珍珠、贝类的光泽效果。折光印刷是采用折光版通过一定压力将图纹压印在印品上产生光折射的独特效果。哑光印刷是采用哑光油墨印刷或普通油墨印后再覆以消光膜，可产出朦胧的弱光泽特色，因此也有较安全的防伪作用。 数码变码信息印刷 代表性的有 1、条形码，商品条码是商品的一种代码，是人类为了计算机等商品进行有效管理而设计的。如果我们能够合理地使用商品技术，包括合理地选择条码的载体，合理地选择印刷的方法及印刷机器，合理地选择印刷的位置等等，那么就有可能使得商品条码技术具有防伪作用。 2、 电码防伪标识及电话识别系统 电码防伪标识及电话识别系统（800电话查询防伪），是通过在每一产品上设定一个随机密码，将所有入网产品全部纪录存档于防伪数据中心库，让消费者利用电话、电脑等工具核对密码的正确与否来识别产品真伪。这项防伪技术实施在同一实物上，实现高度防伪的目的。最典型的范例就是钞票，如人民币就采用了七种防伪手段。因此，各种化学防伪技术还应该与其他防伪技术结合，才能提高名牌产品的防伪力度。 技术及方法 浮雕版纹防伪技术 版纹技术是利用特殊手段对底色、文字、图案、图像等版面成份制成不同的特殊纹理的特种技术。它既可起防伪作用，又可起装饰作用，是证件、票券版面设计的理想技术。由于它的无法重复设计，无法扫描成原图，无法进行仿冒。 微缩防伪设计技术 微缩防伪印刷技术采用了当今最尖端的数码图像复制技术，其原理是将图案或文字以微缩的方式印刷在证件表面，通过放大镜图像能逼真地再现； 双卡隐形防伪设计技术 双卡隐形防伪技术是采用象素成象的原理，把原先设定好的信息能过分开印刷的原理，使人看不清原来的图案，当双卡合在一起时双卡上的象素信息补足一个，就成象了，由于它的无法了解原先设计时的角度距离等各类因素，无法扫描成原图，无法进行仿冒 材料及辅助 纸张防伪 纸张是印刷各种证券的物质基础，一些采用特殊工艺制造的专用纸基本上就具有防伪特点，在专用纸张中采用的防伪技术主要有：防伪纸张作为防伪技术领域的新发展，其优越性有以下几方面。首先，它是把全息图案直接制作在纸张上，除去了塑胶信息层，因此很少有被复制的可能。其次，这种防伪纸张上的图案可根据商家要求设计、制版，生产出商家需要的不同质地、不同克重的纸张（70克～400克，如铜版纸、卡纸、纸板，并且它还可以像普通纸一样，再进行胶印、丝网印等，既可靠又方便。其三，这种防伪纸的价格只略贵于普通复合金银卡纸，只相当于全息防伪商标价格的十分之一，且省去了贴标签的人工费，易被商家接受。其四，直接用这种雷射防伪纸张包装的产品，既可起到防伪作用，又十分美观。其五，由于全息纸张废弃后可在泥土中风化，不会造成环境污染，因此，它将日渐取代含有塑胶膜的雷射全息产品。 目前某些生产烟、酒、化妆品、食品的厂家已开始初步尝试使用雷射全息防伪纸张，取得了良好经济效益。预计这种新型的防伪包装材料将会有一个广阔的市场。 水印纸 水印纸在制造过程中，可利用技术手段将所需要的标识、图案等做入纸中，这些图案平常情况下不易看出，只有对着强光才能看清，我国发行的较大面额人民币大都采用了水印纸印刷。水印在当今科学技术发达的时代，仍被世界各国防伪专家公认为是一种行之有效的防伪技术，继续被各国采用并有所发展，大多数国家的钞票、重要的国际档案、设施图纸和各种票证也切用水印纸印刷。如1996年新版100美元纸张中就采用了“富蓝克林”人头像水印，我国大面额人民币纸张中制作了“天安门”、“ *** ”等水印。水印除在货币纸张中被采用外，在其它票证纸张中也已被广泛使用。水印在纸张中的位置有固定的，不固定和半固定的几种。 水印纸的生产工艺是13世纪义大利造纸专家发明的。因为它在制造过程中融汇了设计、雕模、制网、抄纸等复杂的工艺过程，因此常使造假作伪者束手无策。验看水印也是识别真假的最有效手段之一。当然，包装装璜上大量使用水印防伪在现阶段尚是不经济，用特殊材料研制出一种油墨，将仿水印标记制印在普通铜版纸上，与水印效果极其相似。 防伪添加剂 所谓防伪添加剂，即在油墨连结料中加入特殊性能的防伪材料，经特殊工艺加工而成的特种添加剂。我国目前开发、套用的防伪添加剂可分10类，分别加以阐述。具体实施主要用特种涂布机或其他设备将防伪添加剂加入到票证、产品商标和包装纸层中。这类防伪技术的特点是实施简单、成本低、隐蔽性好、色彩鲜艳、检验方便（甚至手温可改变颜色）、重现性强，是各国纸币、票证和商标的首选防伪技术。 1、紫外萤光防伪技术 在紫外光（200～400nm）照射下，能发出可见光（400～800nm）的特种油墨。 2、日光激发变色防伪技术 在太阳光下，能发出可见光（400～800nm）的防伪技术。这种防伪技术从表面上看是由于太阳作用而变色，实质上也是受紫外线照射而变色的。 3、热敏防伪技术 在加热作用下，能发生变色效果的防伪技术。根据变色所需温度的不同，可以分为手温型变色防伪技术和高温变色防伪技术。 4、反应变色防伪技术 各种加在纸张中的化学物质，在一定条件下，能发生各种化学反应，从而使纸张改变颜色，达到防伪目的。热敏防伪技术的一部份，压敏变色防伪技术、湿敏变色都属于变色防伪技术。另外利用酸碱指示剂添加到纸张中，印成商标后，遇到变色剂，能使纸张的颜色发生变化，达到防伪目的。 5、磁性防伪技术 是用带磁性的氧化铁粉混入纸张中制成的专用防伪技术，现阶段主要用于印刷银行票证的磁性编码文字和符号，具有记录和存储信息的功效。 6、滴水消失技术 这类防伪技术中混入了能产生生物化学反应的物质成份，可以先用此添加剂在包装品及需要防伪的印品上一个肉眼不可见的标记，然后，依据配方有针对性选择化学试剂，当采用微热、润湿、摩擦等方法操作时，文字或图案就会显露出来。 7、液晶防伪技术 油墨中加进了具有结晶性能的化合物。液晶在微弱电流和温度的影响下，因晶格发生变化而显示出明暗图案与色彩。用这种墨印出的包装装潢品可随着温度的变化产生反应。 8、印刷专色油墨 印刷油墨是由色料、填充料、连线料等混和而成的，其中色料的成分选择是决定印品色相及鲜艳程度的重要因素。墨色调配是一个非常复杂的问题，自然界中的一些有机颜料和无机颜料的彩度、亮度差异及一些固有色是人工合成无法实现的。
帝科股份千股千评专家
矽的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶矽在单晶炉内拉制而成。
基本介绍 中文名 ：单晶矽 外文名 ：Monocrystallinesilicon 化学式 ：?Si 分子量 ：28.086 CAS登录号 ：7440-21-3 基本概念,具体介绍,发展现状,半导体,物理特性,主要用途,研究趋势,概述,微型化,国际化，集团化,矽基材料,制造技术升级,加工工艺,市场发展,相关区别,单晶矽制备与仿真, 基本概念 单晶矽是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。 单晶矽可以用于二极体级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品积体电路和半导体分离器件已广泛套用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位。 在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天，利用矽单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。北京2008年奥运会将把“绿色奥运”做为重要展示面向全世界展现，单晶矽的利用在其中将是非常重要的一环。现在，国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段，正在向实际套用阶段过渡，太阳能矽单晶的利用将是普及到全世界范围，市场需求量不言而喻。 具体介绍 我们的生活中处处可见“矽”的身影和作用，晶体矽太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。 单晶矽，英文，Monocrystallinesilicon。是矽的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶矽在单晶炉内拉制而成。 用途：单晶矽具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随着温度升高而增加，具有半导体性质。单晶矽是重要的半导体材料。在单晶矽中掺入微量的第IIIA族元素，形成P型半导体，掺入微量的第VA族元素，形成N型，N型和P型半导体结合在一起，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。 单晶矽是制造半导体矽器件的原料，用于制大功率整流器、大功率电晶体、二极体、开关器件等。在开发能源方面是一种很有前途的材料。 单晶矽按晶体生长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法生长单晶矽棒材，外延法生长单晶矽薄膜。直拉法生长的单晶矽主要用于半导体积体电路、二极体、外延片衬底、太阳能电池。 发展现状 单晶矽建设项目具有巨大的市场和广阔的发展空间。在地壳中含量达25.8%的矽元素，为单晶矽的生产提供了取之不尽的源泉。 各种晶体材料，特别是以单晶矽为代表的高科技附加值材料及其相关高技术产业的发展，成为当代信息技术产业的支柱，并使信息产业成为全球经济发展中增长最快的先导产业。单晶矽作为一种极具潜能，亟待开发利用的高科技资源，正引起越来越多的关注和重视。 与此同时，鉴于常规能源供给的有限性和环保压力的增加，世界上许多国家正掀起开发利用太阳能的热潮并成为各国制定可持续发展战略的重要内容。 在跨入21世纪门槛后，世界大多数国家踊跃参与以至在全球范围掀起了太阳能开发利用的“绿色能源热”，各国相继研发太阳能光伏系统，把太阳能发电终端，所产生的电能输送到电网，用电网使用。一个广泛的大规模的利用太阳能的时代正在来临，太阳能级单晶矽产品也将因此受世人瞩目。 半导体 非晶矽是一种直接能带半导体，它的结构内部有许多所谓的“悬键”，也就是没有和周围的矽原子成键的电子，这些电子在电场作用下就可以产生电流，并不需要声子的帮助，因而非晶矽可以做得很薄，还有制作成本低的优点． 物理特性 矽是地球上储藏最丰富的材料之一，从19世纪科学家们发现了晶体矽的半导体特性后，它几乎改变了一切，甚至人类的思维。直到上世纪60年代开始，矽材料就取代了原有锗材料。矽材料――因其具有耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件的特性而成为套用最多的一种半导体材料，积体电路半导体器件大多数是用矽材料制造的。 熔融的单质矽在凝固时矽原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶矽。单晶矽具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶矽是本征半导体。在超纯单晶矽中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型矽半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型矽半导体。 单晶矽 主要用途 单晶矽主要用于制作半导体元件。 用途： 是制造半导体矽器件的原料，用于制大功率整流器、大功率电晶体、二极体、开关器件等 熔融的单质矽在凝固时矽原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶矽。 单晶矽的制法通常是先制得多晶矽或无定形矽，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶矽。 单晶矽棒是生产单晶矽片的原材料，随着国内和国际市场对单晶矽片需求量的快速增加，单晶矽棒的市场需求也呈快速增长的趋势。 单晶矽圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的积体电路越多，晶片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶矽按晶体伸长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法伸长单晶矽棒材，外延法伸长单晶矽薄膜。直拉法伸长的单晶矽主要用于半导体积体电路、二极体、外延片衬底、太阳能电池。晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于积体电路领域。 由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）单晶矽材料套用最广。在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光片，因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch－up的能力。 矽片直径越大，技术要求越高，越有市场前景，价值也就越高。 研究趋势 概述 日本、美国和德国是主要的矽材料生产国。中国矽材料工业与日本同时起步，但总体而言，生产技术水平仍然相对较低，而且大部分为2.5．3．4．5英寸矽锭和小直径矽片。中国消耗的大部分积体电路及其矽片仍然依赖进口。但我国科技人员正迎头赶上，于1998年成功地制造出了12英寸单晶矽，标志着我国单晶矽生产进入了新的发展时期。全世界单晶矽的产能为1万吨/年，年消耗量约为6000吨～7000吨。未来几年中，世界单晶矽材料发展将呈现以下发展趋势： 微型化 随着半导体材料技术的发展，对矽片的规格和质量也提出更高的要求，适合微细加工的大直径矽片在市场中的需求比例将日益加大。矽片主流产品是200mm，逐渐向300mm过渡，研制水平达到400mm～450mm。据统计，200mm矽片的全球用量占60%左右，150mm占20%左右，其余占20%左右。Gartner发布的对矽片需求的5年预测表明，全球300mm矽片将从2000年的1.3%增加到2006年的21.1%。日、美、韩等国家都已经在1999年开始逐步扩大300mm矽片产量。据不完全统计，全球已建、在建和计画建的300mm矽器件生产线约有40余条，主要分布在美国和我国台湾等，仅我国台湾就有20多条生产线，其次是日、韩、新及欧洲。%P 世界半导体设备及材料协会（SEMI）的调查显示，2004年和2005年，在所有的矽片生产设备中，投资在300mm生产线上的比例将分别为55%和62%，投资额也分别达到130.3亿美元和184.1亿美元，发展十分迅猛。而在1996年时，这一比重还仅仅是零。 国际化，集团化 研发及建厂成本的日渐增高，加上现有行销与品牌的优势，使得矽材料产业形成“大者恒大”的局面，少数集约化的大型集团公司垄断材料市场。上世纪90年代末，日本、德国和韩国（主要是日、德两国）资本控制的8大矽片公司的销量占世界矽片销量的90%以上。根据SEMI提供的2002年世界矽材料生产商的市场份额显示，Shisu、SUMCO、Wacker、MEMC、Komatsu等5家公司占市场总额的比重达到89%，垄断地位已经形成。 矽基材料 随着光电子和通信产业的发展，矽基材料成为矽材料工业发展的重要方向。矽基材料是在常规矽材料上制作的，是常规矽材料的发展和延续，其器件工艺与矽工艺相容。主要的矽基材料包括SOI（绝缘体上矽）、GeSi和应力矽。SOI技术已开始在世界上被广泛使用，SOI材料约占整个半导体材料市场的30%左右，预计到2010年将占到50%左右的市场。Soitec公司（世界最大的SOI生产商）的2000年～2010年SOI市场预测以及2005年各尺寸SOI矽片比重预测了产业的发展前景。 制造技术升级 半导体,晶片积体电路,设计版图,晶片制造,工艺世界普遍采用先进的切、磨、抛和洁净封装工艺，使制片技术取得明显进展。在日本，Φ200mm矽片已有50%采用线切割机进行切片，不但能提高矽片质量，而且可使切割损失减少10%。日本大型半导体厂家已经向300mm矽片转型，并向0.13μm以下的微细化发展。另外，最新尖端技术的导入，SOI等高功能晶片的试制开发也进入批量生产阶段。对此，矽片生产厂家也增加了对300mm矽片的设备投资，针对设计规则的进一步微细化，还开发了高平坦度矽片和无缺陷矽片等，并对设备进行了改进。 矽是地壳中赋存最高的固态元素，其含量为地壳的四分之一，但在自然界不存在单体矽，多呈氧化物或矽酸盐状态。矽的原子价主要为4价，其次为2价；在常温下它的化学性质稳定，不溶于单一的强酸，易溶于碱；在高温下化学性质活泼，能与许多元素化合。 矽材料资源丰富，又是无毒的单质半导体材料，较易制作大直径无位错低微缺陷单晶。晶体力学性能优越，易于实现产业化，仍将成为半导体的主体材料。 多晶矽材料是以工业矽为原料经一系列的物理化学反应提纯后达到一定纯度的电子材料，是矽产品产业链中的一个极为重要的中间产品，是制造矽抛光片、太阳能电池及高纯矽制品的主要原料，是信息产业和新能源产业最基础的原材料。 加工工艺 加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长 （1）加料：将多晶矽原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。 （2）熔化：加完多晶矽原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶矽原料熔化。 （3）缩颈生长：当矽熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入矽熔体中。由于籽晶与矽熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩颈生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4－6mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。 （4）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。 （5）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负2mm之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶矽片取自于等径部分。 （6）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么热应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。 市场发展 2007年，中国市场上有各类矽单晶生产设备1500余台，分布在70余家生产企业。2007年5月24日，国家“863”计画超大规模积体电路（IC）配套材料重大专项总体组在北京组织专家对西安理工大学和北京有色金属研究总院承担的“TDR-150型单晶炉（12英寸MCZ综合系统）”完成了验收。这标志著拥有自主智慧财产权的大尺寸积体电路与太阳能用矽单晶生长设备，在我国首次研制成功。这项产品使中国能够开发具有自主智慧财产权的关键制造技术与单晶炉生产设备，填补了国内空白，初步改变了在晶体生长设备领域研发制造受制于人的局面。 矽材料市场前景广阔，中国矽单晶的产量、销售收入近几年递增较快，以中小尺寸为主的矽片生产已成为国际公认的事实，为世界和中国积体电路、半导体分立器件和光伏太阳能电池产业的发展做出了较大的贡献。 相关区别 单晶矽和多晶矽的区别 单晶矽和多晶矽的区别是，当熔融的单质矽凝固时,矽原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶矽。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶矽。多晶矽与单晶矽的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶矽均不如单晶矽。多晶矽可作为拉制单晶矽的原料。单晶矽可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求矽的纯度六个9以上。大规模积体电路的要求更高，矽的纯度必须达到九个9。人们已经能制造出纯度为十二个9的单晶矽。单晶矽是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。 高纯度矽在石英中提取，以单晶矽为例，提炼要经过以下过程：石英砂一冶金级矽一提纯和精炼一沉积多晶矽锭一单晶矽一矽片切割。 冶金级矽的提炼并不难。它的制备主要是在电弧炉中用碳还原石英砂而成。这样被还原出来的矽的纯度约98-99%，但半导体工业用矽还必须进行高度提纯(电子级多晶矽纯度要求11个9，太阳能电池级只要求6个9)。而在提纯过程中，有一项“三氯氢矽还原法(西门子法)”的关键技术我国还没有掌握，由于没有这项技术，我国在提炼过程中70%以上的多晶矽都通过氯气排放了，不仅提炼成本高，而且环境污染非常严重。我国每年都从石英石中提取大量的工业矽，以1美元/公斤的价格出口到德国、美国和日本等国，而这些国家把工业矽加工成高纯度的晶体矽材料，以46-80美元/公斤的价格卖给我国的太阳能企业。 得到高纯度的多晶矽后，还要在单晶炉中熔炼成单晶矽，以后切片后供积体电路制造等用。 单晶矽 , 多晶矽及非晶矽太阳能电池的区别 单晶矽太阳电池： 单晶矽太阳电池是当前开发得最快的一种太阳电池，它的构成和生产工艺已定型，产品已广泛用于宇宙空间和地面设施。这种太阳电池以高纯的单晶矽棒为原料，纯度要求99.999%。为了降低生产成本，现在地面套用的太阳电池等采用太阳能级的单晶矽棒，材料性能指标有所放宽。有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶矽材料，经过复拉制成太阳电池专用的单晶矽棒。将单晶矽棒切成片，一般片厚约0.3毫米。矽片经过成形、抛磨、清洗等工序，制成待加工的原料矽片。加工太阳电池片，首先要在矽片上掺杂和扩散，一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。这样就在矽片上形成P/FONT>N结。然后采用丝网印刷法，将配好的银浆印在矽片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极，并在有栅线的面涂覆减反射源，以防大量的光子被光滑的矽片表面反射掉，至此，单晶矽太阳电池的单体片就制成了。单体片经过抽查检验，即可按所需要的规格组装成太阳电池组件（太阳电池板），用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流，最后用框架和封装材料进行封装。用户根据系统设计，可将太阳电池组件组成各种大小不同的太阳电池方阵，亦称太阳电池阵列。目前单晶矽太阳电池的光电转换效率为15%左右，实验室成果也有20%以上的。用于宇宙空间站的还有高达50%以上的太阳能电池板。 多晶矽太阳电池： 单晶矽太阳电池的生产需要消耗大量的高纯矽材料，而制造这些材料工艺复杂，电耗很大，在太阳电池生产总成本中己超二分之一，加之拉制的单晶矽棒呈圆柱状，切片制作太阳电池也是圆片，组成太阳能组件平面利用率低。因此，80年代以来，欧美一些国家投入了多晶矽太阳电池的研制。目前太阳电池使用的多晶矽材料，多半是含有大量单晶颗粒的集合体，或用废次单晶矽料和冶金级矽材料熔化浇铸而成。其工艺过程是选择电阻率为100～300欧姆·厘米的多晶块料或单晶矽头尾料，经破碎，用1：5的氢氟酸和硝酸混合液进行适当的腐蚀，然后用去离子水冲洗呈中性，并烘干。用石英坩埚装好多晶矽料，加人适量硼矽，放人浇铸炉，在真空状态中加热熔化。熔化后应保温约20分钟，然后注入石墨铸模中，待慢慢凝固冷却后，即得多晶矽锭。这种矽锭可铸成立方体，以便切片加工成方形太阳电池片，可提高材质利用率和方便组装。多晶矽太阳电池的制作工艺与单晶矽太阳电池差不多，其光电转换效率约12%左右，稍低于单晶矽太阳电池，但是材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。随着技术得提高，目前多晶矽的转换效率也可以达到14%左右。 非晶矽太阳电池： 非晶矽太阳电池是1976年有出现的新型薄膜式太阳电池，它与单晶矽和多晶矽太阳电池的制作方法完全不同，矽材料消耗很少，电耗更低，非常吸引人。制造非晶矽太阳电池的方法有多种，最常见的是辉光放电法，还有反应溅射法、化学气相沉积法、电子束蒸发法和热分解矽烷法等。辉光放电法是将一石英容器抽成真空，充入氢气或氩气稀释的矽烷，用射频电源加热，使矽烷电离，形成电浆。非晶矽膜就沉积在被加热的衬底上。若矽烷中掺人适量的氢化磷或氢化硼，即可得到N型或P型的非晶矽膜。衬底材料一般用玻璃或不锈钢板。这种制备非晶矽薄膜的工艺，主要取决于严格控制气压、流速和射频功率，对衬底的温度也很重要。非晶矽太阳电池的结构有各种不同，其中有一种较好的结构叫PiN电池，它是在衬底上先沉积一层掺磷的N型非晶矽，再沉积一层未掺杂的i层，然后再沉积一层掺硼的P型非晶矽，最后用电子束蒸发一层减反射膜，并蒸镀银电极。此种制作工艺，可以采用一连串沉积室，在生产中构成连续程式，以实现大批量生产。同时，非晶矽太阳电池很薄，可以制成叠层式，或采用积体电路的方法制造，在一个平面上，用适当的掩模工艺，一次制作多个串联电池，以获得较高的电压。因为普通晶体矽太阳电池单个只有0.5伏左右的电压，现在日本生产的非晶矽串联太阳电池可达2.4伏。目前非晶矽太阳电池存在的问题是光电转换效率偏低，国际先进水平为10%左右，且不够稳定，常有转换效率衰降的现象，所以尚未大量用于作大型太阳能电源，而多半用于弱光电源，如袖珍式电子计算器、电子钟表及复印机等方面。估计效率衰降问题克服后，非晶矽太阳电池将促进太阳能利用的大发展，因为它成本低，重量轻，套用更为方便，它可以与房屋的屋面结合构成住户的独立电源。 在猛烈阳光下，单晶体式太阳能电池板较非晶体式能够转化多一倍以上的太阳能为电能，但可惜单晶体式的价格比非晶体式的昂贵两三倍以上，而且在阴天的情况下非晶体式反而与晶体式能够收集到差不多一样多的太阳能。 单晶矽制备与仿真 主要有两种方法：直拉法（Cz法）、区熔法（FZ法）； 1）直拉法 其优点是晶体被拉出液面不与器壁接触，不受容器限制，因此晶体中应力小，同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶。此法制成的单晶完整性好，直径和长度都可以很大，生长速率也高。所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。因此，一些化学性活泼或熔点极高的材料，由于没有合适的坩埚，而不能用此法制备单晶体，而要改用区熔法晶体生长或其他方法。 2）区熔法 区熔法可用于制备单晶和提纯材料,还可得到均匀的杂质分布。这种技术可用于生产纯度很高的半导体、金属、合金、无机和有机化合物晶体。在区熔法制备矽单晶中，往往是将区熔提纯与制备单晶结合在一起，能生长出质量较好的中高阻矽单晶。区熔单晶炉主要包括：双层水冷炉室、长方形钢化玻璃观察窗、上轴（夹多晶棒）、下轴（安放籽晶）、导轨、机械传送装置、基座、高频发生器和高频加热线圈、系统控制柜真空系统及气体供给控制系统等组成。 可以看出，制备单晶矽的工艺要求非常苛刻，包括设备、温度控制、转速等各种影响因素。因此在前期必须做好设备设计如单晶炉和温控包括炉内的热场、流场，以及缺陷预测。一般来说，前期的设计、最佳化和预测并不能完全依靠高成本的实验来实现。可以通过专业的计算机数值仿真工具来实现晶体生长数值模拟，如FEMAG的FEMAG/CZ模组能能对直拉法（Cz法）进行模拟、FEMAG/FZ模组能对区熔法（FZ法）模拟，还有CGSIM等，以达到对单晶矽制备工艺的预测。半导体这个板块在股市中非常热门，很多投资者都热衷于买半导体的股票，帝科股份也是其中之一，并且表现不错。下面我就分析一下帝科股份值不值得投资。研究帝科股份之前，先来看看这份半导体行业龙头股名单吧，快点领取吧：宝藏资料！半导体行业龙头股一栏表
一、从公司角度来看
公司介绍：无锡帝科电子材料股份有限公司的主营业务为用于光伏电池金属化环节的导电银浆的研发、生产和销售。
公司凭借产品研发、客户服务以及精准的市场定位在市场中树立了"高效、稳定、可靠"的良好品牌形象,取得了2016年及2017年度"中国光伏品牌排行最佳材料商"、"2017年度光伏材料企业"、无锡尚德"2017年度优质供应商"等荣誉。
由上述介绍能看出帝科股份还是蛮有实力的，下面我们根据亮点剖析帝科股份是否具有投资的必要性。
亮点一：光伏银浆龙头企业，经营稳健
正面银浆属于公司的核心产品，不管是营业收入还是毛利收入的占比均超过90%。自打2016年以来，公司正面银浆销量增长激增，销量也提高了不少。客户涵盖通威股份、晶科能源、天合光能、晶澳太阳能等头部电池片厂家。而今公司已成功迈入了杜邦、贺利氏、三星SDI、硕禾等一线正面银浆所在的供应商梯队，变成国内正面银浆最主要供应商之一。
亮点二：产能提升，盈利能力提高
公司为了扩大生产，采用了募集的方式获得总计4.6亿元的资金，用于投资年产500吨正面银浆搬迁及产能扩建项目、研发中心建设项目和补充流动资金。新增正面银浆年产能 255.20吨，公司的品牌影响力及市场占有率有利于进一步提高，同时对规模效应的提升也非常有利，提升公司在产业链中的议价水平，可以有效地减少采购成本，提高产品的利润率和盈利能力。
篇幅不允许过长，有关帝科股份的更深入的报告和风险显示，我还精心整理了，都在这篇研报当中点击就可以查看：深度研报帝科股份点评，建议收藏！
二、从行业角度看
光伏产业在全球正处于高景气周期，全球能源结构持续向新能源转型，中国制定"双碳目标"全球各国先后好几次制定政策推进光伏产业发展，增强光伏产业长期发 展确定性。
作为光伏产业链中的正面银浆，它的发展空间挺大的，国产正银供给较少，推进正银国产化非常有必要。正面银浆占太阳能电池片总成本约10%，在非硅成本中占比超30%，光伏行业提效降本，降低成本方式包括浆料国产化，这是降低成本的一个有效途径。
国产正银发展势头正猛，市场占比还将提升。帝科股份作为正面银浆的龙头企业，在市场竞争中所面临的压力很小，由于光伏行业发展的越来越好，帝科股份所能做到了不止扩大市场份额，还能够进一步扩大市场优势抢占市场先机。
综合来说，正面银浆市场市场前景还是比较好的，帝科股份有着极好的发展前景。但是文章具有一定的滞后性，假若大家想知道帝科股份未来行情，可以直接点击链接，有专业的投顾帮你诊股，告诉你帝科股份估值是高估还是低估：免费测一测帝科股份现在是高估还是低估？
应答时间：2021-08-31，最新业务变化以文中链接内展示的数据为准，请点击查看
